SK 海力士公布未来存储路线图：HBM5 (E) 内存 2029~2031 年推出

11 月 4 日消息，SK 集团本年度的 AI 峰会正在韩国首尔举行，在昨日的主题演讲中，SK 海力士社长郭鲁正公布了该企业的存储路线图：

在 2026~2028 年的近期，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案；通用 DRAM 部分则将提供 LPDDR5R、标准与集成计算功能的 LPDDR6；至于 NAND 部分则将见到 PCIe Gen6 企业级与客户端固态硬盘和 UFS 6.0 的诞生。

对于 2029~2031 年的中期，SK 海力士则将全面进入 HBM5 (E) 世代；通用 DRAM 领域下一代 GDDR、DDR6 以及晶体管结构上发生重大变化的 3D DRAM 都将面世；至于 NAND 部分，400+ 层堆叠 NAND、PCIe Gen7 SSD、UFS 6.0 都将到来。

在 SK 海力士的设想中，定制 HBM 的一大变化是将协议及其它、控制器等部分从 XPU 芯片移至 HBM 的基础裸片 (Base Die) 中，为计算单元挪出更多空间，并降低数据接口方面的能耗。

SK 海力士为 AI 时代的 DRAM 内存划出了三大发展方向：以低功耗高性能降低 TCO 的 AI-D O、集成计算能力跨越内存墙的 AI-D B、扩展应用领域的 AI-D E。

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